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发表时间:2017-12-14 10:04
以碳化硅(sic)和氮化镓(gan)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。商用的碳化硅基mosfet国际几大厂如cree、碳化硅infineon、rohm等厂家都有量产器件,用于pfc/ups/pv/ev等应用场景,国内厂家仅基本半导体等少数几家能量产碳化硅器件。过了50多年2017/12/14 星期四碳化硅皇冠体育官网-皇冠球盘官网
近年。800#绿碳化硅。
硅作为半导体的主要材料在摩尔定律的规律下已经走过了50多年,寻找新的半导体材料替代硅已经成了近些年半导体发展的方向之一。半导体技术的不断进步,不仅提高了产品性能,同时通过缩小芯片面积降低了成本。然而到2000年的时候业界就提出硅基产品已经快达到物理极限,进一步提高产品性能,工艺的复杂性带来的成本升高不能抵扣芯片面积的缩小,从而芯片成本提高。未来如何突破si材料的极限?人们把目光瞄向了以氮化镓和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料,这种新材料可以满足提高开关频率和增加功率密度的要求。硅作为半导体的主要材料在摩尔定律的规律下已经走