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发表时间：2016-06-14 15:11
了解皇冠体育官网-皇冠球盘官网的朋友一定都知道，使用商业碳化硅炉有时可以生长出大的半导体碳化硅晶体。然后最近以实验室规模成功地合成了这种晶体材料。生长在石墨坩埚内部的空心圆柱体中的碳化硅晶片是在碳管炉内加热到2500℃以上制成的，温度的安排是要使得碳化硅圆柱体的中心温度较外部为低。向里面扩散的碳化硅蒸汽因而变得过饱和，并且在圆柱体的中心冷凝下来形成单晶体。可以在工作气筑中引入某种杂质以改变生长的晶体的成分。
本篇内容碳化硅小编的目的在于向往能够较为详尽地探讨以后碳化硅晶体生长的方法和性质、以及趋向。
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