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发表时间:2017-12-03 21:26
sic肖特基二极管能提供近乎理想的动态性能。做为单子器件,它的工作过程中没有电荷储存,因此它的反向恢复电流仅由它的耗尽层结电容造成,有正向恢复电压其反向恢复电荷以及其反向恢复损耗比si超快恢复二极管要低一到两个数量级。更重要的是,和它匹配的开关管的开通损耗也可以得到大幅度减少,因此提高电路的开关频率。另外,碳化硅它几乎没它几乎没有正向恢复电压,其它结合剂相较粘土结合的碳化硅,因而能够立即导通,不存在双极型器件的开通延时现象。在常温下,其正态导通压降和si超快恢复器件基本相同,这将有利于将多个sic肖特基二极管并联。在二极管单芯片面积和电流受限的情况下,这可以大幅度提高sic肖特基二极管的容。
sic电力电子器件中,sic二极管最先实现产业化。2001年德国infineon率先推出sic二极管产品,美国cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了sic二极管产品。皇冠体育官网-皇冠球盘官网在日本,罗姆、新日本无线及瑞萨电子等投产了sic二极管。皇冠体育官网-皇冠球盘官网很多企业在开发肖特基势垒二极管(sbd)和jbs结构二极管。目前,sic二极管已经存在600v~1700v电压等级和50a电流等级的产品。